SINTESIS LAPISAN Cu₂O (CUPROUS OXIDE) DI ATAS SUBSTRATITO (INDIUM TIN OXIDE) DENGAN METODEE LEKTRODEPOSISI

Awinda, Awinda (2011) SINTESIS LAPISAN Cu₂O (CUPROUS OXIDE) DI ATAS SUBSTRATITO (INDIUM TIN OXIDE) DENGAN METODEE LEKTRODEPOSISI. S2 thesis, Universitas Andalas.

Text (Skripsi Ful Teks) OK S2 Pasca Sarjana 2011 Awinda 092122003.pdf - Published Version Restricted to Repository staff only Download (8MB)

Abstract

Oksida tembaga ($\text{Cu-O}$) menarik perhatian besar dalam aplikasi semikonduktor dan sel surya. Terdiri dari cupric oxide ($\text{CuO}$) dan cuprous oxide ($\text{Cu}_2\text{O}$), $\text{Cu}_2\text{O}$ memiliki beberapa keunggulan:Material semikonduktor non-toksikSintesis relatif mudah dan biaya produksi murahCelah pita energi (band gap) sebesar $2,137\text{ eV}$, ideal untuk konversi energi sel suryaMetode & Lokasi PenelitianSintesis: Pelapisan $\text{Cu}_2\text{O}$ di atas substrat ITO (Indium Tin Oxide) menggunakan metode elektrodeposisi di Laboratorium Fisika Material FMIPA, Universitas Andalas.Karakterisasi: Dilakukan di Badan Tenaga Nuklir Nasional (BATAN) PUSPITEK Serpong.Tujuan PenelitianMensintesis lapisan $\text{Cu}_2\text{O}$ di atas substrat ITO dengan metode elektrodeposisi.Menganalisis pengaruh parameter elektrodeposisi (konsentrasi elektrolit, tegangan, waktu, dan suhu) terhadap resistansi listrik lapisan yang terbentuk.Menganalisis sifat fisis lapisan menggunakan karakterisasi XRD, SEM, dan UV-Vis.

Actions (login required)

View Item