KARAKTERISTIK I-V SEMIKONDUKTOR CuO DIDOPING TiO2 SEBAGAI SENSOR GAS HIDROGENv

Sinta, Maiyeni (2017) KARAKTERISTIK I-V SEMIKONDUKTOR CuO DIDOPING TiO2 SEBAGAI SENSOR GAS HIDROGENv. S1 thesis, Universitas Andalas.

Preview	Text (abstrak) 1. Abstrak.pdf - Published Version Download (302kB) | Preview
Preview	Text (bab i) 2. BAB 1.pdf - Published Version Download (245kB) | Preview
Preview	Text (bab akhir) 3. BAB akhir.pdf - Published Version Download (178kB) | Preview
Preview	Text (daftar pustaka) 4. Daftar Pustaka.pdf - Published Version Download (244kB) | Preview
	Text (skripsi full text) 5. Karya Ilmiah Utuh.pdf - Published Version Restricted to Repository staff only Download (2MB) | Request a copy

Abstract

Telah dilakukan karakterisasi sensor gas hidrogen berupa pelet dengan bahan utama CuO didoping oleh TiO2. Pelet sensor gas hidrogen dibuat dengan variasi doping TiO2 (0% mol, 2% mol, 4% mol, 6% mol, 8% mol, dan 10% mol) terhadap bahan utama CuO. Proses pembuatan sensor gas hidrogen diawali dengan pencampuran bahan CuO didoping TiO2, kalsinasi pada temperatur 500°C selama 4 jam, penggerusan, kompaksi, dan sintering pada temperatur 600°C selama 4 jam. Sensor gas hidrogen diuji pada temperatur ruang dengan melihat karakteristik I-V, nilai sensitivitas, nilai konduktivitas, waktu respon, dan karakterisasi x-ray diffraction (XRD). Berdasarkan pengukuran karakteristik I-V bahwa sampel dengan penambahan bahan TiO2 sebanyak 6% mol memiliki sensitivitas tertinggi yaitu 2,80 pada tegangan 9 Volt. Nilai konduktivitas tertinggi dimiliki sampel CuO (4% mol TiO2) yaitu 19,61 x 10-5/Ωm pada lingkungan hidrogen. Waktu respon sampel CuO + 6% mol TiO2 pada tegangan 9 Volt adalah 42 sekon. Hasil XRD menunjukkaan ukuran kristal CuO + 6% mol TiO2 lebih besar dibandingkan dengan bahan CuO murni.

Actions (login required)

View Item